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申请/专利权人：深圳中机新材料有限公司
摘要：本申请公开了一种高效去除碳化硅衬底晶片污染的清洗方法，具体涉及碳化硅衬底晶片生产领域，具体包括以下步骤：S1、数据的采集；S2、模型训练；S3、清洗准备；S4、污染类型判断；S5、碳化硅衬底晶片表面污染清洗，本发明中，通过互联网获取海量去除碳化硅衬底晶片污染的案例数据信息，对数据进行分类，根据其表面污染的成分数据、污染面积数据以及污染源色彩特征数据对其进行数据的提取，根据数据完成匹配模型的构建，根据这些数据输入匹配模型，去匹配相关案例，从而快速判断对于碳化硅衬底晶片的表面污染处理采取何种手段，有效地提升了碳化硅衬底晶片表面污染的处理效率。
主权项：1.一种高效去除碳化硅衬底晶片污染的清洗方法，其特征在于：具体包括以下步骤：S1、数据的采集：通过网络服务器从互联网上获取碳化硅衬底晶片污染案例数据；S2、模型训练：根据获取的案例数据，提取部分数据，即表面污染类型数据、清洗方法数据、采用试剂以及试剂的用量数据，根据整理的数据完成匹配模型的训练，匹配模型用于快速匹配污染相关数据；S3、清洗准备：在开始清洗之前，采集碳化硅衬底晶片表面污染数据，为后续判断污染类型做准备；S4、污染类型判断：根据采集的数据，输入步骤S2中训练的匹配模型中，获取碳化硅衬底晶片污染类型，从而确定采用何种清洗方法以及使用何种清洗试剂；S5、碳化硅衬底晶片表面污染清洗：在开始清洗处理之前，确保工作区域清洁，并准备好所需的清洗试剂、冲洗介质和设备；检查清洗设备的工作状态和性能，确保其正常运行；如果需要使用酸性或碱性溶液进行清洗，首先按照预先确定的配比将溶液配制好；将碳化硅晶片浸泡在酸性或碱性溶液中，根据清洗需求和试剂性质确定浸泡时间；在浸泡完成后，取出晶片并用纯水彻底冲洗，以去除残留的酸性或碱性溶液；根据污染程度和试剂的性质，选择不同的清洗时间和温度；定时检查晶片表面的清洗效果，必要时更换清洗试剂。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳中机新材料有限公司 一种高效去除碳化硅衬底晶片污染的清洗方法
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