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一种改善沉镍金电位差镍腐蚀的方法 

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申请/专利权人:江西景旺精密电路有限公司

摘要:本发明涉及化学镍金技术领域,具体是涉及一种改善沉镍金电位差镍腐蚀的方法,该方法在沉镍金电路板设计时添加阻流PAD,所述阻流PAD添加在距离独立区边缘100±5mil的位置。本发明通过在沉镍金电路板时,设计添加阻流PAD设计,分散电流,可有效避免局部电流过大,从而显著减少电路板在沉镍金制程中产生电位差导致镍腐蚀不良的现象,有效解决现有技术的不足,适用于对电路板的批量生产。

主权项:1.一种改善沉镍金电位差镍腐蚀的方法,其特征在于,在沉镍金电路板设计时添加阻流PAD设计,所述阻流PAD添加在距离独立区边缘100±5mil的位置;所述独立区为PCB板上3mm范围内没有线路或者PAD或铜设计的区域;所述阻流PAD的大小依据正常位置与异常位置的金铜比差异进行设计,其面积大小为正常位置没镍腐蚀的面积减去异常位置的面积;所述金铜比≥1:4000。

全文数据:

权利要求:

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