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申请/专利权人：晶铁半导体技术(广东)有限公司

摘要：本发明属于半导体技术领域，其目的在于提供一种铁电存储器纠错方法、系统、设备及产品。本发明中的铁电存储器纠错方法，由铁电存储器中的控制器执行，铁电存储器中还包括存储阵列，存储阵列与控制器通信连接；方法包括：在接收到数据读取指令时，从存储阵列中获取待读取的原始数据，并根据原始数据得到校验位数据和初始纠错码；根据原始数据、校验位数据和初始纠错码得到解码角标和更新后纠错码，并根据解码角标和更新后纠错码对原始数据进行错误检测处理。本发明可在不增加读周期的情况下，对现有的ECC纠错方法进行功能补充，可保证铁电存储器的高效访问，提高铁电存储器的可靠性，同时利于提升铁电存储器中存储阵列的良率。

主权项：1.一种铁电存储器纠错方法，其特征在于：由铁电存储器中的控制器执行，所述铁电存储器中还包括存储阵列，所述存储阵列与所述控制器通信连接；所述方法包括：在接收到数据读取指令时，从所述存储阵列中获取待读取的原始数据，并根据所述原始数据得到校验位数据和初始纠错码；根据所述原始数据、所述校验位数据和所述初始纠错码得到解码角标和更新后纠错码，并根据所述解码角标和所述更新后纠错码对所述原始数据进行错误检测处理；当所述原始数据中没有错误时，将所述原始数据读出，完成数据读取操作；在完成数据读取操作后，对所述存储阵列进行复写处理，以便刷新所述存储阵列中与所述原始数据对应的铁电电容的极化状态；当所述原始数据中存在一个错误时，对所述原始数据进行纠错处理，得到与所述原始数据匹配的纠正后数据，并将所述纠正后数据读出，完成数据读取操作；在完成数据读取操作后，对所述存储阵列进行复写处理，并用所述纠正后数据替换所述存储阵列中的所述原始数据，以便刷新所述存储阵列中与所述原始数据对应的存储单元的存储数据；当所述原始数据中存在两个错误时，对所述存储阵列重新进行定义，以便启动所述存储阵列中预设的冗余存储阵列，再将所述存储阵列中与所述原始数据对应的存储单元切换至所述冗余存储阵列中，以便重新进行数据读读取操作或数据写入操作；根据所述解码角标和所述更新后纠错码对所述原始数据进行错误检测处理，包括：S201.判断所述更新后纠错码是否为0，如是，则进入步骤S202，如否，则判定所述原始数据中存在一个错误，并进入步骤S203；S202.判断所述解码角标是否为0，如是，则判定所述原始数据中没有错误，如否，则判定所述原始数据中存在两个错误；S203.判断所述解码角标是否为0，如是，则判定所述更新后纠错码存在错误，如否，则判定所述解码角标存在错误。

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