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申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要：本发明提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极、以及设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第2非磁性层、以及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。第1磁性层包括第1元素，该第1元素包括Fe、Co和Ni的至少一个。第2磁性层包括第1元素和第2元素，该第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti和Sc构成的群中选择的至少一个。第1磁性层不包括第2元素。第1磁性层的第1厚度为第2磁性层的第2厚度的0.25倍以上且4倍以下。
主权项：1.一种磁头，具有第1磁极、第2磁极、以及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体；所述层叠体包括第1磁性层、设置于所述第1磁性层与所述第2磁极之间的第2磁性层、设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于所述第2磁性层与所述第2磁极之间的第2非磁性层、以及设置于所述第1磁极与所述第1磁性层之间的第3非磁性层；所述第1磁性层包括第1元素，该第1元素包括Fe、Co和Ni的至少一个；所述第2磁性层包括所述第1元素和第2元素，该第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti和Sc构成的群中选择的至少一个；所述第1磁性层不包括所述第2元素，或者，所述第1磁性层中的所述第2元素的浓度比所述第2磁性层中的所述第2元素的浓度低；沿着从所述第1磁极向所述第2磁极的第1方向的所述第1磁性层的第1厚度为沿着所述第1方向的所述第2磁性层的第2厚度的0.25倍以上且4倍以下，所述层叠体从磁记录装置的电路被供给具有从所述第1磁性层向所述第2磁性层的方向的电流。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社东芝 东芝电子元件及存储装置株式会社 磁头和磁记录装置
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