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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：公开了用于以低沉积速率沉积膜的PECVD方法，包括间歇性地活化等离子体。能够使用至少聚硅烷前驱物和等离子体气体以沉积可流动膜。公开的工艺的沉积速率可以小于
主权项：1.一种处理基板的方法，包括：将上面有至少一个特征的基板表面同时暴露于处理腔室内的包含聚硅烷polysilane前驱物和等离子体气体的反应物；以规则的间隔点燃所述处理腔室内的所述等离子体气体以形成等离子体，并且在所述至少一个特征内于所述基板表面上沉积可流动膜；以及固化所述可流动膜以形成实质上无接缝的间隙填充物，其中所述可流动膜以一速率沉积，所述速率小于或等于每分钟500埃。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 可流动PECVD的低沉积速率
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