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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本发明公开了一种光电器件，包括：衬底，衬底为P型重掺杂或N型重掺杂的Ge金属；绝缘层，形成在衬底一侧的部分表面上；GeSe二维材料层，自衬底的部分表面延伸至绝缘层上，GeSe二维材料层包括至少一片GeSe薄膜，配置为响应于光而产生光生载流子；电极，电极包括至少一组源极和漏极，配置为接收光生载流子；至少一组源极和漏极分别形成在每片GeSe薄膜上和衬底的与GeSe二维材料层相反的一侧上；其中，衬底与GeSe二维材料层形成二维三维异质结。本发明还公开了一种上述光电器件的制备方法。
主权项：1.一种光电器件，其特征在于，包括：衬底（1），所述衬底（1）为P型重掺杂或N型重掺杂的Ge；绝缘层（2），形成在所述衬底（1）一侧的部分表面上；GeSe二维材料层（3），自所述衬底（1）的部分表面延伸至所述绝缘层（2）上，所述GeSe二维材料层（3）包括至少一片GeSe薄膜，配置为响应于光而产生光生载流子；电极，所述电极包括至少一组源极（4）和漏极（5），配置为接收所述光生载流子；所述至少一组源极（4）和漏极（5）分别形成在每片所述GeSe薄膜上和所述衬底（1）的与所述GeSe二维材料层（3）相反的一侧上；其中，所述GeSe二维材料层（3）与三维的所述衬底（1）形成二维-三维异质结。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 光电器件及其制备方法
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