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申请/专利权人：天津大学
摘要：本发明提供一种碳基无源器件以及碳基无源器件的制备方法，碳基无源器件的制备方法包括：利用第一电子束对涂覆在衬底上的第一光刻胶进行诱导生长，得到碳电极；利用第二电子束对涂覆在碳电极上的第二光刻胶进行诱导生长，得到碳绝缘层；将石墨烯结构转移到碳绝缘层上，对石墨烯结构进行图形化处理，得到石墨烯电极，从而形成碳基无源器件，由碳基无源器件的制备方法构建的全碳无源器件性能稳定，且无需其他半导体加工工艺再次加工，具有优异的实用价值。
主权项：1.一种碳基无源器件的制备方法，其特征在于，包括：利用第一电子束对涂覆在衬底上的第一光刻胶进行诱导生长，得到碳电极；利用第二电子束对涂覆在所述碳电极上的第二光刻胶进行诱导生长，得到碳绝缘层；将石墨烯结构转移到所述碳绝缘层上，对所述石墨烯结构进行图形化处理，得到石墨烯电极，从而形成碳基无源器件；其中，所述碳电极、所述碳绝缘层以及所述石墨烯电极为环状堆叠且在所述碳电极和所述石墨烯电极上均设置导电线圈，形成全碳电感作为所述碳基无源器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津大学 碳基无源器件以及碳基无源器件的制备方法
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