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申请/专利权人：灿芯半导体(上海)股份有限公司

摘要：本发明公开了一种低压晶体管在高压环境下控制电源切换的电路，具体涉及控制电路技术领域，包括点DIN、点DOUT、点V2P5、四个电阻R、两个电阻R1、点MP1、点MP2、点MP3、点MN1、点MN2、点MN3、点VH和点VL；所述点DIN为数字信号输入端，用于输入数字信号；所述点DOUT为数字信号输出端，用于输出数字信号；所述点V2P5是电阻分压出来的电压等于电源电压的一半；所述点MP1、点MP2以及点MP3分别为晶体管MP1、晶体管MP2以及晶体管MP3。本发明利用了二极管的阈值电压产生一个压差作为实际的工作电压，当输出为高时，逻辑工作在2.9V到5V，在输出为0时，逻辑工作在0V到2.1V，从而实现了利用低压器件产生高压逻辑的功能，还保证了低压器件的耐压。

主权项：1.一种低压晶体管在高压环境下控制电源切换的电路，其特征在于：包括点DIN数字信号输入端、点DOUT数字信号输出端、点V2P5电阻分压出来的电压等于电源电压的一半、四个电阻R、两个电阻R1、晶体管MP1、晶体管MP2、晶体管MP3、晶体管MN1、晶体管MN2、晶体管MN3、点VH和点VL；所述四个电阻R在电源和地之间串联，在第二个电阻和第三个电阻的连线处接输入信号DIN，第一个电阻和第二个电阻的连线命名为A，第三个和第四个电阻的连线命名为B，两个电阻R1在电源和地之间串联，两个电阻R1的连线处电压为电源的一半，命名为V2P5，A接晶体管MP1和晶体管MN1的栅极，MP1源极接电源，漏极与MN1的漏极相连，连线命名为C，B接晶体管MP2和晶体管MN2的栅极，MP2源极与MN1的源极连接V2P5，MP2的漏极与MN2的漏极相连，连线命名为D，三个串联的二极管阳极通过电阻和电源相连，阴极通过电阻和地相连，电阻和串联二极管阳极的连线命名为VH，电阻和串联二极管的阴极的连线命名为VL，晶体管MP3的栅极接C，源极接电源，漏极接VH，晶体管MN3的栅极接D，源极接地，漏极接VL，同时VH分别接2个PMOS管的源极，2个PMOS管的漏级分别接NMOS管漏级，NMOS管的源极接VL，一组PMOS管和NMOS管的栅极接DIN，且这组PMOS管的漏级和NMOS管的漏级分别接另一组的PMOS管和NMOS管的栅极，另一组的PMOS管和NMOS管的漏级接DOUT。

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