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半导体装置及电容值测量方法 

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申请/专利权人:索尼半导体解决方案公司

摘要:一种半导体装置,包括:环形振荡器,其包括多个栅极电路和第一负载电路,所述多个栅极电路布置在环路上,并且包括第一栅极电路,所述第一负载电路耦接到所述第一栅极电路的输出端子,并且被配置为基于第一控制信号被设置为使能或禁用;和控制信号生成电路,被配置为产生第一控制信号。

主权项:1.一种半导体装置,包括:环形振荡器,其包括多个栅极电路和第一负载电路,所述多个栅极电路被布置在环路上并且包括第一栅极电路,所述第一负载电路耦接到所述第一栅极电路的输出端子并且包括第一电容器,所述第一电容器被配置为基于第一控制信号被设置为使能或禁用;控制信号生成电路,被配置为产生所述第一控制信号;电流测量部,被配置为测量在多个栅极电路中流动的电源电流;频率测量部,被配置为测量由所述环形振荡器产生的振荡信号的频率;可变电容器,具有可调电容值;和调整部,被配置为基于所述电流测量部的测量结果和所述频率测量部的测量结果调整所述可变电容器的电容值。

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