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申请/专利权人：中国科学院武汉病毒研究所;合肥伯生生物科技有限公司
摘要：本申请涉及半导体器件技术领域，具体涉及HEMT器件、HEMT生物传感器和多通道HEMT生物传感器。该HEMT器件包括衬底，衬底包括第一区域和第二区域；在第一区域上包括延长栅极；在第二区域上包括层叠区，层叠区包括由下至上层叠设置的缓冲层、沟道层、隔离层、δ硅掺杂层、势垒层；势垒层上设置有第一帽层和第二帽层，第一帽层上设置有源极，第二帽层上设置有漏极；在第一帽层和第二帽层之间的势垒层上设置有栅极金属电极，栅极金属电极与延长栅极连接；延长栅极所在的区域为长方形区域或正方形区域。采用本实用新型HEMT器件制成的生物传感器具有检测范围宽、灵敏度高等优点。
主权项：1.一种HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件包括衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述衬底的第一区域上包括延长栅极；在所述衬底的第二区域上包括层叠区，所述层叠区包括由下至上层叠设置的缓冲层、沟道层、隔离层、δ硅掺杂层、势垒层；所述势垒层上设置有第一帽层和第二帽层，所述第一帽层上设置有源极，所述第二帽层上设置有漏极；在第一帽层和第二帽层之间的势垒层上设置有栅极金属电极，所述栅极金属电极与所述延长栅极连接；所述延长栅极所在的区域为长方形区域或正方形区域，所述长方形区域或正方形区域的长度为0.4～1.2mm，宽度为0.3～1.2mm；延长栅极的厚度为200～600nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院武汉病毒研究所 合肥伯生生物科技有限公司 HEMT器件、HEMT生物传感器和多通道HEMT生物传感器
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