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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：提供了存储器装置及其制造方法以及计算机系统。该存储器装置包括：第一层叠结构，其包括交替地层叠的多个第一层间绝缘层和用于第一字线的多个导电层，以及第二层叠结构，其包括交替地层叠的多个第二层间绝缘层和用于第二字线的多个导电层；第一蚀刻停止层，其设置于第一层叠结构和第二层叠结构之间；以及多个第一字线接触件，其穿过第二层叠结构和第一蚀刻停止层而延伸至第一层叠结构的内部。
主权项：1.一种存储器装置，该存储器装置包括：第一层叠结构，该第一层叠结构包括交替地层叠的多个第一层间绝缘层和用于第一字线的多个导电层，以及第二层叠结构，该第二层叠结构包括交替地层叠的多个第二层间绝缘层和用于第二字线的多个导电层；第一蚀刻停止层，该第一蚀刻停止层设置在所述第一层叠结构和所述第二层叠结构之间；以及多个第一字线接触件，所述多个第一字线接触件通过延伸穿过所述第二层叠结构并延伸穿过所述第一蚀刻停止层而延伸至所述第一层叠结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 存储器装置及其制造方法以及计算机系统
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