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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：示例半导体装置包括：第一电极结构，其包括第一连接部和从第一连接部延伸的第一指状部；以及第二电极结构，其包括第二连接部和从第二连接部延伸并且与第一指状部交替布置的第二指状部。第一电极结构可以包括交替堆叠的第一线和第一接触件，第二电极结构可以包括交替堆叠的第二线和第二接触件，并且第一线和第二线以及第一接触件和第二接触件可以在多个水平之中的N个水平上以第一节距布置，并且在多个水平中的M个水平上以比第一节距大的第二节距布置，其中，N可以为3或更大，并且M可以小于N。
主权项：1.一种半导体装置，包括：第一半导体结构，其包括衬底、所述衬底上的电路元件和所述电路元件上的电容器结构；以及第二半导体结构，其包括所述第一半导体结构上的板层、被堆叠为在与所述板层的上表面垂直的第一方向上彼此间隔开并且顺序地堆叠在所述板层上的栅电极、以及穿过所述栅电极并且在所述第一方向上延伸的沟道结构，其中，所述电容器结构包括：第一电极结构，其包括第一连接部和第一指状部，所述第一连接部在与所述衬底的上表面平行的第二方向上延伸，所述第一指状部在与所述第二方向垂直的第三方向上从所述第一连接部延伸；以及第二电极结构，其包括第二连接部和第二指状部，所述第二连接部在所述第二方向上延伸，所述第二指状部在所述第三方向上从所述第二连接部延伸并且与所述第一指状部交替布置，其中，所述第一电极结构包括在所述第一方向上彼此交替堆叠的第一线和第一接触件，所述第二电极结构包括在所述第一方向上彼此交替堆叠的第二线和第二接触件，并且在所述第二指状部中，所述第二接触件中的至少一个的下表面被绝缘层覆盖，使得所述第二接触件中的所述至少一个不连接到所述第二线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统
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