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申请/专利权人：力旺电子股份有限公司
摘要：一种用于物理不可复制技术的一次编程存储单元，包括：一第一选择晶体管、一第一反熔丝晶体管以及一第二反熔丝晶体管。该第一选择晶体管的一第一漏源端连接至一位线，该第一选择晶体管的一栅极端连接至一字线。该第一反熔丝晶体管的一栅极端连接至该第一选择晶体管的一第二漏源端，该第一反熔丝晶体管的二个漏源端连接至一第一反熔丝控制线。该第二反熔丝晶体管的一栅极端连接至该第一选择晶体管的一第二漏源端，该第二反熔丝晶体管的二个漏源端连接至一第二反熔丝控制线。
主权项：1.一种用于物理不可复制技术的一存储器阵列，该存储器阵列具有一第一存储单元，且该第一存储单元包括：一第一选择晶体管，该第一选择晶体管的一第一漏源端连接至一第一位线，该第一选择晶体管的一栅极端连接至一第一字线；一第一反熔丝晶体管，该第一反熔丝晶体管的一栅极端连接至该第一选择晶体管的一第二漏源端，该第一反熔丝晶体管的二个漏源端连接至一第一反熔丝控制线；以及一第二反熔丝晶体管，该第二反熔丝晶体管的一栅极端连接至该第一选择晶体管的一第二漏源端，该第二反熔丝晶体管的二个漏源端连接至一第二反熔丝控制线；其中，于一注册动作时，决定该第一存储单元为一选定存储单元，开启该第一选择晶体管，该第一反熔丝晶体管的栅极介电层与该第二反熔丝晶体管的栅极介电层同时承受一电压应力，使得该第一反熔丝晶体管与该第二反熔丝晶体管其中之一由一第一储存状态改变为一第二储存状态；其中，于一读取动作时，根据该选定存储单元中的该第一反熔丝晶体管为该第一储存状态或者该第二储存状态，以决定一随机码。
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权利要求：
百度查询： 力旺电子股份有限公司 用于物理不可复制技术的一次编程存储单元与存储器阵列以及相关随机码产生方法
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