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申请/专利权人：株式会社SK电子
摘要：本发明提供光掩模和光掩模的制造方法，能够防止孤立图案的静电破坏，用途不限于二元掩模。光掩模具有第一孤立图案61a、第二孤立图案62a和连接两孤立图案的桥接图案63a。光掩模的制造方法包括：在透射性基片1上形成具有导电性的半透射膜2和遮光膜3的工序；在遮光膜3上形成具有开口图案4s的第一抗蚀剂图案4a的工序；有选择地蚀刻遮光膜3而形成开口部OP的工序；在遮光膜上形成第二抗蚀剂图案5a的工序，该第二抗蚀剂图案具有覆盖开口部OP的桥接区域53a、第一孤立图案区域51a和第二孤立图案区域52a；和蚀刻遮光膜和半透射膜，形成第一孤立图案、第二孤立图案和桥接图案的工序。
主权项：1.一种光掩模的制造方法，其特征在于：所述光掩模具有第一孤立图案61a、第二孤立图案62a和连接所述第一孤立图案61a和所述第二孤立图案62a的桥接图案63a，所述光掩模的制造方法包括：层叠膜形成工序，在透射性基片1上形成具导电性的半透射膜2，并在所述半透射膜2上形成遮光膜3；第一蚀刻掩模形成工序，在所述遮光膜3上形成具有开口图案4s的第一抗蚀剂图案4a；第一图案形成工序，有选择地蚀刻所述遮光膜3来形成开口部OP，然后除去所述第一抗蚀剂图案4a；第二蚀刻掩模形成工序，在所述遮光膜上形成第二抗蚀剂图案5a，该第二抗蚀剂图案5a具有覆盖所述开口部OP的桥接区域53a、以及与所述桥接区域53a接触的第一孤立图案区域51a和第二孤立图案区域52a；和第二图案形成工序，对所述遮光膜3和所述半透射膜2进行蚀刻来形成所述第一孤立图案61a、所述第二孤立图案62a和所述桥接图案63a，然后除去所述第二抗蚀剂图案。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社SK电子 光掩模和光掩模的制造方法
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