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申请/专利权人：X-FAB全球服务有限公司
摘要：一种光学传感器包括第一光电二极管和第二光电二极管。每个光电二极管包括相应的光敏区域。第二光电二极管还包括波长选择吸收层，该波长选择吸收层被布置为在入射光进入第二光电二极管的光敏区域之前选择性地衰减该入射光。波长选择吸收层的特征在于，在300至1100nm的波长范围内具有低光学吸收，并且在200至275nm的波长范围内具有高光学吸收。光电二极管被配置为响应于入射光而生成相应的电流，并且光学传感器被配置为基于由第一光电二极管生成的电流和由第二光电二极管生成的电流之间的差异来确定光水平。
主权项：1.一种光学传感器，包括第一光电二极管和第二光电二极管，每个光电二极管包括相应的光敏区域，所述第二光电二极管还包括波长选择吸收层，所述波长选择吸收层被布置为在入射光进入所述第二光电二极管的所述相应的光敏区域之前选择性地衰减所述入射光，所述波长选择吸收层的特征在于，在300至1100纳米nm的波长范围内具有低光学吸收，并且在200至275nm的波长范围内具有高光学吸收，其中，所述第一光电二极管和所述第二光电二极管被配置为响应于所述入射光而生成相应的电流，并且所述光学传感器被配置为基于由所述第一光电二极管生成的电流和由所述第二光电二极管生成的电流之间的差异来确定光水平。
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权利要求：
百度查询： X-FAB全球服务有限公司 光电二极管
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