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申请/专利权人：浙江英洛华磁业有限公司
摘要：本发明公开了一种基于复合扩散源蒸镀扩散的高性能R‑T‑B稀土永磁体及其制备方法：采用饱和蒸气压相近的Dy和Ga元素作为扩散源主要成分制备复合扩散源，进行蒸镀扩散，使Ga元素与稀土元素R形成R‑Ga相隔绝主相晶粒，优化扩散通道，提升晶界扩散效果；调整合金成分，磁体中添加一定量的高熔点金属元素M2，借助M2与R‑Ga相间具有高润湿性并易分布于R‑Ga相中的特性钉扎磁体表层主相晶粒，抑制磁体表层主相晶粒在晶界扩散过程中的转动，改善扩散后磁体的剩磁，制备得到高性能R‑T‑B稀土永磁体。并且本发明复合扩散源的两种元素的挥发速度基本一致，保证扩散源在长期使用过程中的稳定性，从而提高扩散产品性能的一致性。
主权项：1.一种基于复合扩散源蒸镀扩散的高性能R-T-B稀土永磁体，其特征在于，所述磁体成分包括以下质量分数的成分：R：28.5~34.0wt.%，R包含Dy和R1，Dy含量为磁体质量分数的0.05~10.0wt.%，R的余量为R1，R1为Nd、Pr、Ho、Gd、La、Ce、Er中的至少一种，Ga：0.1~3.0wt.%；M1：0.0~5.0wt.%，M1为Al、Cu、Zn、W、Mo、V、Mn中的一种或多种，其中的0代表不含有M1；M2：0.1~2.0wt.%，M2为高熔点元素，M2为Zr、Ti和Nb中的至少一种；B：0.85~1.1wt.%；余量为T及其他不可避免杂质，T包含Fe或Fe和Co；所述磁体包含2:14:1主相颗粒、晶界富R相和含M2的晶界R-Ga相，含M2的晶界R-Ga相中，占体积比的60.0vol.%以上的晶界R-Ga相分布于磁体三主相颗粒晶界相中。
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