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申请/专利权人：新唐科技日本株式会社
摘要：一种氮化物系半导体发光元件100，其具备：由GaN构成的衬底101、被配置在衬底101的上方的由AlGaN构成的第一包覆层、被配置在衬底101的上方的活性层105、以及被配置在第一包覆层与活性层105之间的第一半导体层，活性层105具有由氮化物系半导体构成的阱层105b以及含有Al的由氮化物系半导体构成的势垒层105a和105c，第一半导体层的平均带隙能量比第一包覆层的平均带隙能量小，第一半导体层由AlGaInN构成。
主权项：1.一种氮化物系半导体发光元件，所述氮化物系半导体发光元件具备：由GaN构成的衬底；配置在所述衬底的上方且由AlGaN构成的第一包覆层；配置在所述衬底的上方的活性层；以及配置在所述第一包覆层与所述活性层之间的第一半导体层，所述活性层具有由氮化物系半导体构成的阱层以及由含有Al的氮化物系半导体构成的势垒层，所述第一半导体层的平均带隙能量比所述第一包覆层的平均带隙能量小，所述第一半导体层由AlGaInN构成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 新唐科技日本株式会社 氮化物系半导体发光元件
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