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晶片边缘倾斜和蚀刻速率均匀性 

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申请/专利权人:朗姆研究公司

摘要:用于等离子体室中的边缘环包括第一对边缘环段,第一对边缘环段中的每一者具有第一厚度,以及第二对边缘环段,第二对边缘环段中的每一者具有第二厚度。第一对边缘环段中的每一者定向为邻近第二对边缘环段中的每一者,而第二对边缘环段中的每一者定向为邻近第一对边缘环段中的每一者。

主权项:1.一种环绕等离子体室中晶片的边缘环,所述边缘环包括:第一对边缘环段,其中所述第一对边缘环段中的每一者具有第一厚度;以及第二对边缘环段,其中所述第二对边缘环段中的每一者具有第二厚度,所述第一对边缘环段定向为彼此相对,且所述第二对边缘环段定向为彼此相对,其中所述第一对边缘环段中的每一者定向为邻近所述第二对边缘环段中的每一者,而所述第二对边缘环段中的每一者定向为邻近所述第一对边缘环段的每一者。

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权利要求:

百度查询: 朗姆研究公司 晶片边缘倾斜和蚀刻速率均匀性

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