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申请/专利权人：丹佛斯硅动力有限责任公司
摘要：一种模制功率模块2包括：‑衬底12，所述衬底包括上导电层5、6；‑至少一个半导体10、10’，所述至少一个半导体位于衬底12的上导电层5、6上；‑模制部分30，所述模制部分覆盖至少一个半导体10。模制部分30包括至少两个从所述模制部分30的剩余区域突出的凸丘部18、18’、18”，其中所述凸丘部18、18’、18”彼此间隔开。
主权项：1.一种模制功率模块2，包括：-衬底12，所述衬底包括上导电层5、6；-至少一个半导体10、10’，所述至少一个半导体位于所述衬底12的所述上导电层5、6上；-模制部分30，所述模制部分覆盖所述至少一个半导体10，其特征在于，所述模制部分30包括至少两个从所述模制部分30的剩余区域突出的凸丘部18、18’、18”，其中所述凸丘部18、18’、18”彼此间隔开。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 丹佛斯硅动力有限责任公司 模制功率模块和功率模块组件
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