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申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所

摘要：提供能够实现微型化或高集成化的半导体装置。半导体装置具有包括第一至第三晶体管及电容器的存储单元。在第一至第三晶体管中金属氧化物的侧面被源电极及漏电极覆盖。第二及第三晶体管共用金属氧化物。在第一至第三晶体管上方设置电容器。以包括与第一晶体管的源电极及漏电极中的一个的顶面及侧面接触的区域的方式设置包括被用作写入位线的区域的导电体。以包括与第三晶体管的源电极及漏电极中的一个的顶面及侧面接触的区域的方式设置包括被用作读出位线的区域的导电体。第一晶体管的源电极及漏电极中的另一个及第二晶体管的栅极与电容器的一个电极电连接。

主权项：1.一种半导体装置，包括：第一晶体管；第二晶体管；第三晶体管；电容器；第一导电体；第一绝缘体；第二绝缘体；以及第三绝缘体，其中，所述第一晶体管包括第一金属氧化物、第二导电体、第三导电体、第四导电体以及第四绝缘体，所述第二导电体及所述第三导电体各自覆盖所述第一金属氧化物的顶面及侧面的一部分，所述第四绝缘体设置在所述第一金属氧化物上，所述第四导电体设置在所述第四绝缘体上，所述第二晶体管包括第二金属氧化物、第五导电体、第六导电体、第七导电体以及第五绝缘体，所述第五导电体覆盖所述第二金属氧化物的顶面及侧面的一部分，所述第六导电体覆盖所述第二金属氧化物的顶面的一部分，所述第五绝缘体设置在所述第二金属氧化物上，所述第七导电体设置在所述第五绝缘体上，所述第三晶体管包括所述第二金属氧化物、所述第六导电体、第八导电体、第九导电体以及第六绝缘体，所述第八导电体覆盖所述第二金属氧化物的顶面及侧面的一部分，所述第六绝缘体设置在所述第二金属氧化物上，所述第九导电体设置在所述第六绝缘体上，所述第一绝缘体设置在所述第二导电体上、所述第三导电体上、所述第五导电体上、所述第六导电体上以及所述第八导电体上，所述第二绝缘体设置在所述第四绝缘体上、所述第四导电体上、所述第七导电体上以及所述第九导电体上，所述电容器设置在所述第二绝缘体上，以覆盖所述第二绝缘体的顶面及侧面的一部分的方式设置所述第三绝缘体，以包括与所述第二导电体的侧面、所述第一绝缘体的侧面以及所述第三绝缘体的侧面接触的区域的方式设置所述第一导电体，并且，所述第三导电体与所述第七导电体电连接。

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权利要求：

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