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申请/专利权人：维尔威泰克有限责任公司
摘要：提出了用于使用DC等离子体中精确受控的电子的晶片级波进行材料处理的系统和方法。将放置在DC等离子体的正柱中的台的顶部的衬底的表面浮动电位调整并保持为参考电位。以参考电位为参考的周期性偏置信号电容性地耦接至台，以根据以下来控制衬底处的表面电位：激活阶段，该激活阶段用于向DC等离子体中的自由电子提供动能，以激活衬底的表面处的目标键；中和阶段，该中和阶段用于排斥来自衬底的表面的自由电子；以及初始化阶段，该初始化阶段用于恢复表面浮动电位的初始条件。
主权项：1.一种用于处理衬底的直流DC等离子体系统，包括：DC等离子体反应室，所述DC等离子体反应室被配置成容纳在所述DC等离子体反应室的阳极与阴极之间生成的DC等离子体；衬底支承台，所述衬底支承台布置在所述DC等离子体反应室的容纳所述DC等离子体的正柱的区域中，用于将所述衬底支承台的表面处的浮动电位控制为参考电位的装置；以及电容性地耦接至所述衬底支承台的偏置信号发生器，所述偏置信号发生器被配置成生成具有以所述参考电位为参考的电压的周期性偏置信号，所述周期性偏置信号包括：具有正电压的激活阶段；具有负电压的中和阶段；以及具有零电压的初始化阶段。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 维尔威泰克有限责任公司 用于电子增强材料处理的电子偏置控制信号
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