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具有爬电延伸结构的半导体封装 

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申请/专利权人:沃孚半导体公司

摘要:公开了半导体封装,并且更具体地公开了具有增加的功率处置能力的半导体封装。半导体封装可以包括引线框架结构和结合半导体管芯的对应壳体。为了促进增加的电流和电压能力,示例性半导体封装包括爬电延伸结构、可以包括一体热垫的引线框架结构、附加热元件及其组合的一个或多个布置。爬电延伸结构可以连同引线框架结构的热垫和附加热元件一起被布置为半导体封装的顶侧的一部分。爬电延伸结构还可以被布置为顶侧的一部分并沿着半导体封装的一个或多个外围边缘布置,以促进进一步增加功率处置。

主权项:1.一种半导体封装,包括:半导体管芯;用于所述半导体管芯的壳体,所述壳体包括第一侧、第二侧和作为所述第一侧的一部分的爬电延伸结构;以及与所述半导体管芯电连接的第一引线,所述第一引线包括热垫和远离所述热垫延伸的至少一个引脚,所述热垫布置在所述第一侧并与所述爬电延伸结构相邻。

全文数据:

权利要求:

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