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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：描述制造及处理半导体装置即，电子装置的方法。本公开的实施方式有利地提供电子装置，其包含集成偶极区以满足减少厚度与较低热预算的要求。本文所述的电子装置包含源极区、漏极区、及分开源极区与漏极区的通道、及具有界面层、在界面层上实质上没有非金属原子的金属膜、及在金属膜上的高K介电层的偶极区。在一些实施方式中，电子装置的偶极区包含界面层、界面层上的高K介电层、及高K介电层上的金属膜。在一些实施方式中，方法包含退火基板以驱使来自金属膜的金属粒子进入界面层或高K介电层的一者或多者。
主权项：1.一种制造电子装置的方法，所述方法包含以下步骤：在通道的顶表面上沉积界面层，所述通道位于基板上的源极与漏极之间；在所述界面层上沉积金属膜；及在所述金属膜上沉积高K介电层以形成偶极区。
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