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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

摘要：本发明提供一种浮栅型闪存中高压CMOS器件的工艺集成方法，提供衬底，在衬底上形成浅沟槽隔离以定义出浮栅闪存器件、高压NMOS、高压PMOS和其他CMOS的有源区；利用离子注入形成浮栅闪存器件、高压NMOS、高压PMOS的掺杂阱；之后在浮栅闪存器件区域上形成第一栅介质层、在高压NMOS、高压PMOS和其他CMOS区域上形成高压器件的第二栅介质层；在第一、二栅介质层上形成浮栅多晶硅层，图形化浮栅多晶硅层，使其在其他COMS区域上的部分去除，在浮栅闪存器件、高压NMOS、高压PMOS区域上的部分保留；之后利用离子注入形成其他CMOS的掺杂阱；在剩余的浮栅多晶硅层、第二栅介质层上形成极间介质层。本发明能够提高器件的击穿电压。

主权项：1.一种浮栅型闪存中高压CMOS器件的工艺集成方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成浅沟槽隔离以定义出浮栅闪存器件、高压NMOS、高压PMOS和其他CMOS的有源区；步骤二、利用离子注入形成所述浮栅闪存器件、高压NMOS、高压PMOS的掺杂阱；之后在所述浮栅闪存器件区域上形成第一栅介质层、在所述高压NMOS、高压PMOS和其他CMOS区域上形成高压器件的第二栅介质层；步骤三、在所述第一、二栅介质层上形成浮栅多晶硅层，图形化所述浮栅多晶硅层，使其在所述其他COMS区域上的部分去除，在所述所述浮栅闪存器件、高压NMOS、高压PMOS区域上的部分保留；之后利用离子注入形成所述其他CMOS的掺杂阱；步骤四、在剩余的所述浮栅多晶硅层、所述第二栅介质层上形成极间介质层，之后去除所述其他CMOS区域上的所述第二栅介质层、所述极间介质层，保留所述极间介质层在所述所述浮栅闪存器件、高压NMOS、高压PMOS区域上的所述浮栅多晶硅层；之后形成位于所述其他CMOS的第三栅介质层；步骤五、去除所述高压NMOS、高压PMOS上的所述极间介质层；步骤六、在所述极间介质层、裸露的所述浮栅多晶硅层、所述第三栅介质层上形成栅极材料层；步骤七、对所述高压NMOS、高压PMOS区域上的所述栅极材料层进行对应沟道类型的预掺杂；步骤八、利用光刻、刻蚀的方法同时定义出所述浮栅闪存器件、高压NMOS、高压PMOS和其他CMOS的栅极结构；步骤九、利用离子注入形成所述浮栅闪存器件、高压NMOS、高压PMOS的轻掺杂漏；步骤十、在所述所述浮栅闪存器件、高压NMOS、高压PMOS和其他CMOS的栅极结构的侧壁形成第一侧墙，之后利用离子注入形成所述其他CMOS的轻掺杂漏；步骤十一、在所述第一侧墙上形成第二侧墙，利用离子注入形成浮栅闪存器件、高压NMOS、高压PMOS和其他CMOS的重掺杂注入。

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