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申请/专利权人：华为技术有限公司
摘要：本申请提供一种晶体管结构、射频前端器件及电子设备。晶体管结构包括：衬底、位于衬底之上的有源层、位于有源层背离衬底一侧的栅极层，以及位于有源层与栅极层之间的栅介质层。晶体管结构还包括：多个隔离凹槽，每一个隔离凹槽在厚度方向贯穿有源层。有源层包括：至少一个第一沟道，每一个第一沟道位于相邻两个隔离凹槽之间，每一个第一沟道包括：第一表面、第一侧面和第二侧面，栅极层的图案覆盖每一个第一沟道的第一表面、第一侧面和第二侧面。本申请实施例中，栅极层的图案可以三面包围第一沟道，晶体管结构在开启时，有源层中的第一沟道完全耗尽，防止晶体管结构出现浮体效应、短沟道效应、源漏寄生电容等不良，提升晶体管结构的性能。
主权项：1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底之上的有源层、位于所述有源层背离所述衬底一侧的栅极层，以及位于所述有源层与所述栅极层之间的栅介质层；所述晶体管结构还包括：多个隔离凹槽，所述多个隔离凹槽中的每一个所述隔离凹槽在厚度方向贯穿所述有源层；所述有源层包括：至少一个第一沟道，所述至少一个第一沟道中的每一个所述第一沟道位于相邻两个所述隔离凹槽之间；所述至少一个第一沟道中的每一个所述第一沟道包括：第一表面、第一侧面和第二侧面，所述第一表面为所述第一沟道背离所述衬底一侧的表面，所述第一侧面和所述第二侧面分别位于与所述第一沟道相邻的两个所述隔离凹槽靠近该第一沟道的内壁；所述栅极层的图案覆盖所述至少一个第一沟道中的每一个所述第一沟道的所述第一表面、所述第一侧面和所述第二侧面；所述栅介质层隔离所述栅极层与所述有源层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 一种晶体管结构、射频前端器件及电子设备
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