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申请/专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
摘要：本发明提供了一种基于氮化镓系应用的红光LED外延结构及其制备方法，其所述N型半导体层与所述有源层之间设有复合型应力释放结构；其中，所述复合型应力释放结构包括沿所述第一方向依次设置的应力累积层、应力释放层；其中，所述应力累积层与相邻的所述N型半导体层两者之间晶格失配以形成应力累积，所述应力释放层通过内部形成孔洞以释放所述应力累积层所形成的应力；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述N型半导体层。从而，通过所述应力累积层与所述应力释放层的协同作用形成孔洞以释放所述应力累积层所累积的应力，从而很好地解决有源层的晶格失配问题。
主权项：1.一种基于氮化镓系应用的红光LED外延结构，其特征在于，包括：衬底及依次层叠于所述衬底表面的N型半导体层、复合型应力释放结构、有源层以及P型半导体层；其中，所述复合型应力释放结构包括沿所述第一方向依次设置的应力累积层、应力释放层；其中，所述应力累积层与相邻的所述N型半导体层两者之间晶格失配以形成应力累积，所述应力释放层通过内部形成孔洞以释放所述应力累积层所累积的应力；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述N型半导体层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门乾照光电股份有限公司 一种基于氮化镓系应用的红光LED外延结构及其制备方法
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