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申请/专利权人：湖南中部芯谷科技有限公司

摘要：本发明公开了一种低温漂运算放大器，包括电流镜单元、JFET输入差分单元、JFET信号放大整形单元和输出缓冲单元。由于采用了上述技术方案，与现有技术相比，本发明通过电流镜单元给后级电路提供高质量的电流，通过JFET输入差分单元完成对高噪声、小信号的拾取，通过JFET信号放大整形单元完成对JFET输入差分单元输出信号的整形和放大，通过输出缓冲单元完成对输出信号的缓冲放大输出，使得运算放大器在小信号、高噪声应用环境中具有低温漂的特性。尤其是针对特定的应用环境，比如精密仪器、弱信号检测等自动控制仪表中，本发明的运放具有很高的性能和可靠性。

主权项：1.一种低温漂运算放大器，其特征在于，包括电流镜单元、JFET输入差分单元、JFET信号放大整形单元和输出缓冲单元；所述电流镜单元包括第一PMOS管和第二PMOS管；所述第一PMOS管的漏极与和第二PMOS管的漏极以及输入电源电连接；所述第一PMOS管的栅极与第一PMOS管的源级以及第二PMOS管的栅极电连接；所述JFET输入差分单元包括第一NMOS管、第二JFETNMOS管和第一NMOS管；所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的源级电连接，第一NMOS管的源级与第二JFETNMOS管的源级以及第一NMOS管的漏极电连接，第一NMOS管的栅极作为JFET输入差分对正极信号的输入与OIP电连接；第二JFETNMOS管的漏极与第二PMOS管的源级电连接，第二JFETNMOS管的栅极作为JFET输入差分对负极信号的输入与OIN电连接；第一NMOS管的栅极作为尾流控制信号的输入与BIAS电连接，第一NMOS管的源级接地；所述JFET信号放大整形单元包括第三JFETNMOS管和第二NMOS管；所述第三JFETNMOS管的漏极与输入电源电连接，第三JFETNMOS管的栅极与所述第二JFETNMOS管的漏极电连接，第三JFETNMOS管的源极与第二NMOS管的漏极电连接；所述第二NMOS管的栅极与输入电源电连接，所述第二NMOS管的源极接地；所述输出缓冲单元包括第一反相器和第二反相器；所述第一反相器的输入端与所述第二NMOS管的漏极电连接，第一反相器的输出端与第二反相器的输入端电连接，第二反相器的输出端为低温漂运算放大器的输出。

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