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申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司
摘要：本申请公开了一种发光二极管、显示面板、制备方法及显示装置，涉及显示技术领域。该发光二极管包括第一电极层，第一掺杂层，多量子阱，第二掺杂层以及第二电极层。由于第一掺杂层的侧壁，多量子阱的侧壁以及第二掺杂层的侧壁相对于第一衬底的承载面均为倾斜状，因此多量子阱发出的光线可以被倾斜状的侧壁全反射。进一步的，全反射后的光线可以射向第二掺杂层远离第一掺杂层的一侧，进而提高了从第二电极层射出的光线的总量，进而可提高发光二极管的发光效率，提高显示面板的显示效果。
主权项：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管1包括：位于第一衬底2上且依次层叠的第一电极层101，第一掺杂层102，多量子阱103，第二掺杂层104以及第二电极层105；所述多量子阱103发出的光线用于从所述第二电极层105射出，所述第一掺杂层102和所述第二掺杂层104的掺杂类型不同；其中，所述第一掺杂层102的侧壁，所述多量子阱103的侧壁以及所述第二掺杂层104的侧壁共面，且与参考线的夹角均为目标角度，所述目标角度为锐角，所述参考线垂直于所述第一衬底2的承载面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管、显示面板、制备方法及显示装置
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