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申请/专利权人：广东致能科技有限公司
摘要：本发明涉及一种HEMT器件、栅极场板结构及其制造方法，所述栅极场板结构的制造方法包括：在外延层上提供栅极介质层；提供第一阻挡层，其至少提供在所述栅极介质层的第一部分上方；提供栅极场板介质层，其至少提供在所述第一阻挡层和所述栅极介质层第二部分上方；对应所述栅极介质层第一部分自顶层栅极场板介质层向下蚀刻得到栅极形成区，其中所述栅极形成区的侧壁包括一个或多个栅极场板介质台阶；以及在所述栅极形成区提供栅极材料得到一个或多个栅极层。本发明栅极场板结构的制造过程工艺过程可控，有效减小了漏源极间的漏电流和栅极的阈值电压偏差，因而有效提高了HEMT器件性能。
主权项：1.一种HEMT器件栅极场板结构的制造方法，包括：在外延层上提供栅极介质层，所述栅极介质层包括相邻接的第一部分和第二部分；提供第一阻挡层，其至少提供在所述栅极介质层的第一部分上方；提供栅极场板介质层，其至少提供在所述第一阻挡层和所述栅极介质层第二部分上方；所述栅极场板介质层的材料相对于所述第一阻挡层的材料具有高蚀刻选择比；对应所述栅极介质层第一部分自顶层栅极场板介质层向下蚀刻得到栅极形成区，其中所述栅极形成区的侧壁包括一个或多个栅极场板介质台阶；以及在所述栅极形成区提供栅极材料得到一个或多个栅极层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东致能科技有限公司 一种HEMT器件、栅极场板结构及其制造方法
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