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申请/专利权人：罗姆股份有限公司
摘要：本发明提供一种SiC半导体装置及其制造方法。SiC半导体装置的制造方法包括：准备具有主面且由SiC单晶构成的SiC晶片的工序；在上述主面上设定划分多个芯片区域的切断预定线的工序，该多个芯片区域包括形成功能器件的第一芯片区域、以及形成执行上述第一芯片区域的过程管理的监控图案的第二芯片区域；在上述主面上形成多个主面电极的工序，该多个主面电极以使上述切断预定线露出的方式分别包覆多个上述芯片区域，且分别形成上述功能器件的一部分以及上述监控图案的一部分；向从多个上述主面电极露出的上述切断预定线照射激光，形成改性成与SiC单晶不同的特性的改性区域的工序；以及以上述改性区域为起点劈开上述SiC晶片的工序。
主权项：1.一种SiC半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：准备具有主面且由SiC单晶构成的SiC晶片的工序；在上述主面设定划分多个芯片区域的切断预定线的工序，该多个芯片区域包括形成功能器件的第一芯片区域、以及形成监控图案的第二芯片区域；在上述主面上形成多个主面电极的工序，该多个主面电极以使上述切断预定线露出的方式分别包覆多个上述芯片区域，且分别形成上述功能器件的一部分以及上述监控图案的一部分；向从多个上述主面电极露出的上述切断预定线照射激光，形成改性成与SiC单晶不同的特性的改性区域的工序；以及以上述改性区域为起点劈开上述SiC晶片的工序。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 罗姆股份有限公司 SiC半导体装置及其制造方法
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