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申请/专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种发光二极管的外延结构及其制造方法，发光二极管的外延结构包括自下向上的衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层的掺杂类型相反，所述第二半导体层包括超晶格层，所述超晶格层位于所述第二半导体层中最靠近所述有源层的位置，所述超晶格层包括周期性交替堆叠的阱层和垒层，所述垒层的Al组分大于所述阱层的Al组分，各层所述阱层的Al组分相同，各层所述垒层的Al组分自下向上逐层升高；所述垒层的掺杂浓度高于所述阱层的掺杂浓度，各层所述阱层的掺杂浓度相同，各层所述垒层的掺杂浓度自下向上逐层升高。本发明的技术方案使得能够提高发光二极管的发光效率和亮度。
主权项：1.一种发光二极管的外延结构，其特征在于，包括自下向上的衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层的掺杂类型相反，所述第二半导体层包括超晶格层，所述超晶格层位于所述第二半导体层中最靠近所述有源层的位置，所述超晶格层包括周期性交替堆叠的阱层和垒层，所述垒层的Al组分大于所述阱层的Al组分，各层所述阱层的Al组分相同，各层所述垒层的Al组分自下向上逐层升高；所述垒层的掺杂浓度高于所述阱层的掺杂浓度，各层所述阱层的掺杂浓度相同，各层所述垒层的掺杂浓度自下向上逐层升高。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 发光二极管的外延结构及其制造方法
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