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申请/专利权人：ASMIP控股有限公司
摘要：公开了一种用于向基材上沉积金属膜的方法。特别是，该方法包括向基材上脉冲输送金属卤化物前体以及向基材上脉冲输送还原性前体。该金属卤化物前体和该还原性前体之间的反应形成金属膜。具体地，该方法公开了形成金属硼化物或金属硅化物膜。
主权项：1.一种形成金属硼化物或金属硅化物的方法，包括：在反应室中提供用于处理的基材，所述基材包括氮化钛TiN、氧化钛TiO2或氧化铪HfO2的膜；向该基材上进行金属卤化物前体沉积，该进行金属卤化物前体沉积的步骤包括：保持金属卤化物前体的温度为80℃，向该基材上脉冲输送金属卤化物前体,其中，脉冲输送金属卤化物前体的持续时间为0.1至10秒；和从该反应室中清除过量的金属卤化物前体；以及向该基材上进行还原性前体沉积，该进行还原性前体沉积的步骤包括：保持还原性前体的温度为25℃，向该基材上脉冲输送还原性前体，其中脉冲输送还原性前体的持续时间为0.1至10秒；和从该反应室中清除过量的还原性前体；其中，该金属卤化物前体包括以下的一种：四溴化铌NbBr4、五溴化铌NbBr5、四碘化铌NbI4、五碘化铌NbI5、四氟化锆ZrF4、四氯化锆ZrCl4、四溴化锆ZrBr4、四碘化锆ZrI4、五氟化钼MoF5、六氟化钼MoF6、五氯化钼MoCl5、六氯化钼MoCl6、五溴化钼MoBr5、六溴化钼MoBr6、五碘化钼MoI5或六碘化钼MoI6；其中金属卤化物前体和还原性前体之间的反应形成了膜，该膜包含以下物质中的至少一种：二硼化铌NbB2、二硼化锆ZrB2、硼化钼MoB、硅化铌NbSi2、硅化锆ZrSi2或二硅化钼MoSi2；其中该金属前体沉积步骤重复预定次数；且其中该还原性前体沉积步骤重复预定次数。
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百度查询： ASMIP控股有限公司 金属硼化物和金属硅化物的沉积
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