龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种半导体膜层结构制备方法及半导体膜层结构，通过在顶层介质层的氮化硅层表面沉积二氧化硅层；形成贯穿所述氮化硅层以及所述二氧化硅层的通孔；至少在所述通孔侧壁与所述氮化硅层相接的表面形成阻挡层；在所述通孔中填充金属材料并研磨至暴露出所述二氧化硅层，所述通孔中剩余的金属材料形成金属结构；在所述二氧化硅层与所述金属结构的顶面形成顶层金属层。使得所述顶层金属层与所述氮化硅层之间通过所述二氧化硅层隔离，所述金属结构与所述氮化硅层之间通过所述阻挡层隔离，将所述氮化硅层与金属材料间通过氧化层隔离，缓解了所述氮化硅材料与金属材料之间的应力问题，提高了产品良率，降低了生产成本。
主权项：1.一种半导体膜层结构制备方法，其特征在于，包括：提供一顶层介质层，所述顶层介质层包括氮化硅层；在所述氮化硅层表面形成二氧化硅层，所述二氧化硅层的厚度小于所述氮化硅层的厚度；形成贯穿所述二氧化硅层以及所述氮化硅层的通孔；至少在所述通孔侧壁与所述氮化硅层相接的表面形成阻挡层；在所述通孔中填充金属材料并研磨至暴露出所述二氧化硅层，所述通孔中剩余的金属材料形成金属结构，其中，所述金属结构与所述二氧化硅层的顶面基本齐平；在所述二氧化硅层与所述金属结构的顶面形成顶层金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体膜层结构制备方法及半导体膜层结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号