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申请/专利权人：杭州电子科技大学
摘要：本发明属于微机电系统技术领域，具体涉及基于硅纳米线多维力传感器的自校准装置及其制备工艺。装置包括：SOI硅片和键合硅；SOI硅片中顶层硅包括受力体以及设于受力体四周且对称分布的硅纳米线；采用具有巨压阻效应的硅纳米线代替传统使用压敏电阻的压阻式力传感器，受力体四个角处采用U型结构作为支撑梁，受力体上设有压电层；键合硅上与顶层硅中的压电层所对应的位置设有电极区域；压电层与电极区域构成电容；硅纳米线与电容共同解耦测量力的大小和方向，可实现六维力的感知；键合硅和SOI硅片键合形成自校准结构；键合硅上设有若干个通过TSV打孔技术制作的通孔，用于引出电极。本发明具有灵敏度高、稳定性高和可靠性高的特点。
主权项：1.基于硅纳米线多维力传感器的自校准装置，其特征在于，包括：SOI硅片和键合硅；SOI硅片包括位于底层的体硅、设于体硅上方的埋氧层以及设于埋氧层上方的顶层硅；所述顶层硅包括受力体以及设于受力体四周且均匀分布的硅纳米线；所述受力体上设有压电层；所述键合硅上与顶层硅中的压电层所对应的位置设有电极区域；所述压电层与电极区域构成电容；所述键合硅和SOI硅片的顶层硅键合形成自校准结构；所述键合硅上设有若干个通过TSV打孔技术制作的通孔，所述通孔作为电极通道，用于引出电极；所述顶层硅与体硅电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州电子科技大学 基于硅纳米线多维力传感器的自校准装置及其制备工艺
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