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晶片制造系统 

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申请/专利权人:爱思开矽得荣株式会社

摘要:公开了一种晶片制造系统,包括配置成用于生长EPI晶片的外延EPI装备和具有配置成用于控制EPI装备的处理器的控制机架设备,其中处理器配置成用于收集至少一个X参数,以基于收集的至少一个X参数来预测在EPI晶片上生长的EPI层的厚度,将EPI层的预测厚度与EPI层的测量厚度进行比较和分析,并重复执行学习直至比较和分析的结果值在预定的目标厚度范围内。

主权项:1.一种晶片制造系统,包括:外延EPI装备,所述外延EPI装备配置成用于生长EPI晶片;以及控制机架设备,所述控制机架设备具有被配置成用于控制EPI装备的处理器,其中所述处理器被配置成用于:收集至少一个X参数,并基于所收集的至少一个X参数来预测在所述EPI晶片上生长的EPI层的厚度;以及将所述EPI层的预测厚度与所述EPI层的测量厚度进行比较和分析,并重复执行学习直到比较和分析的结果值在预定的目标厚度范围内。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 爱思开矽得荣株式会社 晶片制造系统

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