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申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安欣芯材料科技有限公司
摘要：本发明提供了一种外延反应腔室的维护方法及装置、硅片，属于半导体制造技术领域。外延反应腔室的维护方法包括：识别所述外延反应腔室制备的每一外延硅晶圆的类型；根据所述外延反应腔室制备的每一外延硅晶圆的类型确定所述外延反应腔室制备的每种类型的外延硅晶圆的数量；根据所述外延反应腔室制备的每种类型的外延硅晶圆的数量计算所述外延反应腔室制备的外延层累计膜厚；在所述外延层累计膜厚大于预设阈值时，提示进行所述外延反应腔室的维护。本发明的技术方案能够延长外延反应腔室的部件寿命，同时提高制备的外延硅晶圆的品质，降低外延硅晶圆的生产成本。
主权项：1.一种外延反应腔室的维护方法，其特征在于，包括：识别所述外延反应腔室制备的每一外延硅晶圆的类型；根据所述外延反应腔室制备的每一外延硅晶圆的类型确定所述外延反应腔室制备的每种类型的外延硅晶圆的数量；根据所述外延反应腔室制备的每种类型的外延硅晶圆的数量计算所述外延反应腔室制备的外延层累计膜厚；在所述外延层累计膜厚大于预设阈值时，提示进行所述外延反应腔室的维护。
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