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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明提供一种改善接触孔阻挡层产生剥落缺陷的方法，晶圆上形成有待形成接触孔的前层膜层结构，在晶圆的边缘定义有洗边区域，刻蚀包括洗边区域的晶圆边缘处，形成凹槽，凹槽的深度需满足在接触孔刻蚀后仍有层间介质层保留在凹槽中；形成填充凹槽的层间介质层；在前层膜层结构上形成光刻胶层，光刻打开需形成接触孔的区域以及凹槽上的光刻胶层，利用刻蚀形成接触孔、以及刻蚀凹槽中的层间介质层使其部分保留在凹槽的底部；淀积阻挡层，阻挡层形成区域包括接触孔的底部以及凹槽的层间介质层上。本发明能够改善阻挡层剥落。
主权项：1.一种改善接触孔阻挡层产生剥落缺陷的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供晶圆，所述晶圆上形成有待形成接触孔的前层膜层结构，在所述晶圆的边缘定义有洗边区域，刻蚀包括洗边区域的所述晶圆边缘处，形成凹槽，所述凹槽的深度需满足在接触孔刻蚀后仍有层间介质层保留在所述凹槽中；步骤二、形成填充所述凹槽的层间介质层；步骤三、在所述前层膜层结构上形成光刻胶层，光刻打开需形成接触孔的区域以及所述凹槽上的所述光刻胶层，利用刻蚀形成接触孔、以及刻蚀所述凹槽中的所述层间介质层使其部分保留在所述凹槽的底部；步骤四、淀积阻挡层，所述阻挡层形成区域包括所述接触孔的底部以及所述凹槽的所述层间介质层上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 改善接触孔阻挡层产生剥落缺陷的方法
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