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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：本公开涉及包括存储器单元串的存储器阵列以及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。所述方法包括形成堆叠，所述堆叠包括竖直交替的绝缘叠层和导电叠层。所述堆叠包括侧向间隔开的存储器块，所述存储器块的上部部分个别地包括子块。所述子块的所述导电叠层个别地包括选择门叠层，所述选择门叠层个别地包括选择门。子块沟槽在所述存储器块的所述上部部分中，且个别地在所述子块中的侧向紧邻子块之间。所述子块沟槽个别地穿过和水平地沿着所述子块的所述选择门叠层和所述绝缘叠层延伸。在所述子块沟槽中，所述选择门叠层的导电材料相对于所述子块的所述绝缘叠层的绝缘材料的子块沟槽侧壁侧向向外凹入，以在所述选择门叠层中形成侧向凹部。绝缘材料在所述子块沟槽中且在所述侧向凹部中形成。公开其它方面，包含与方法无关的结构。
主权项：1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：形成包括竖直交替的绝缘叠层和导电叠层的堆叠，所述堆叠包括侧向间隔开的存储器块，所述存储器块的上部部分个别地包括子块，所述子块的所述导电叠层个别地包括选择门叠层，所述选择门叠层个别地包括选择门，子块沟槽在所述存储器块的所述上部部分中个别地处于所述子块中的侧向紧邻子块之间，所述子块沟槽个别地穿过和水平地沿着所述子块的所述选择门叠层和所述绝缘叠层延伸；在所述子块沟槽中，使所述选择门叠层的导电材料相对于所述子块的所述绝缘叠层的绝缘材料的子块沟槽侧壁侧向向外凹入，以在所述选择门叠层中形成侧向凹部；以及在所述子块沟槽中且在所述侧向凹部中形成绝缘材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 包括存储器单元串的存储器阵列和形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法
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