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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本公开涉及一种晶体管与其形成方法。形成多栅极装置所用的例示性方法包括形成栅极介电层，形成功函数层于栅极介电层上；形成盖于功函数层上，以及形成栅极层于盖上。形成盖的步骤包括形成第一盖层的第一部分于功函数层上；在进行氧控制处理之后，形成第一盖层的第二部分于第一盖层的第一部分上；以及形成第二盖层于第一盖层上。氧控制处理由破真空、臭氧化的去离子水、氧自由基、含氧退火环境、或上述的组合，以暴露第一盖层的第一部分至氧。第一盖层可为金属氮化物层，而第二盖层可为硅层。
主权项：1.一种晶体管的形成方法，包括：形成一栅极介电层于一通道层上；形成一功函数层于该栅极介电层上；形成一盖于该功函数层上，其中形成该盖的步骤包括：形成一第一盖层的第一部分；在进行一氧控制处理之后，形成该第一盖层的第二部分于该第一盖层的第一部分上；以及形成一第二盖层于该第一盖层上；以及形成一栅极层于该盖上。
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 晶体管与其形成方法
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