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一种晶圆校准定位的精细调节方法及半导体工艺设备 

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申请/专利权人:北京北方华创微电子装备有限公司

摘要:本发明提供了一种晶圆校准定位的精细调节方法及半导体工艺设备,该方法包括:将晶圆传入工艺腔室,对晶圆进行预设时长的刻蚀以获取晶圆的刻蚀速率偏心图;其中,刻蚀速率偏心图包括晶圆上各采样点的刻蚀速率偏心值,刻蚀速率偏心值为各采样点的刻蚀速率与采样点所在圆环的平均刻蚀速率的差值;基于刻蚀速率偏心图判断晶圆的刻蚀均匀性是否满足预设误差要求;若晶圆的刻蚀均匀性不满足预设误差要求,基于刻蚀速率偏心图对机械手的传输位置进行矫正以改变晶圆在工艺腔室内的位置,以使晶圆的刻蚀均匀性满足预设误差要求。本发明可以校验晶圆的校准定位效果,提高了晶圆的整体刻蚀均匀性,降低了晶圆的校准定位误差,提升了晶圆的校准精度。

主权项:1.一种晶圆校准定位的精细调节方法,其特征在于,包括:将晶圆传入工艺腔室,对所述晶圆进行预设时长的刻蚀以获取所述晶圆的刻蚀速率偏心图;其中,所述刻蚀速率偏心图包括所述晶圆上各采样点的刻蚀速率偏心值,所述刻蚀速率偏心值为各采样点的刻蚀速率与所述采样点所在圆环的平均刻蚀速率的差值;基于所述刻蚀速率偏心图判断所述晶圆的刻蚀均匀性是否满足预设误差要求;若所述晶圆的刻蚀均匀性不满足所述预设误差要求,基于所述刻蚀速率偏心图对机械手的传输位置进行矫正以改变所述晶圆在工艺腔室内的位置,以使所述晶圆的刻蚀均匀性满足所述预设误差要求。

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权利要求:

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