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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要：本发明公开了一种单晶光纤生长方法和系统，所述单晶光纤生长方法采用竖直设置的多级激光加热系统，一步实现了单晶光纤多次缩径的越级生长。采用本发明光纤生长方法，在制备小尺寸单晶光纤时，无需在每一级光纤生长前都进行光路调节、籽晶和光纤调中等操作，在制备之前仅需进行一次调节，即可制备出所需单晶光纤，生长结束后无需退火，制备过程简单，操作时间短，解决了单晶光纤难以越级生长的技术难点，实现了使用大直径光纤进行小直径单晶光纤的一次性生长，大大提高了直径小于100um的单晶光纤制备效率，且保证了单晶光纤的生长质量，具有良好的经济效益。
主权项：1.一种单晶光纤生长方法，其特征在于，采用上下设置的多级加热系统逐级加热生长，生长时，初始料棒上端在最下一级加热系统熔料区时经高温熔化，同时从上往下通过籽晶杆将籽晶投入熔区并与料棒上端熔化部分接触，通过籽晶提拉实现引晶生长得到直径变细的料棒，将直径变细的料棒往上提拉并进入相邻的上一级加热系统；直径变细的料棒往上进入所述相邻的上一级加热系统熔料区时经高温熔化，通过提拉再次由所述籽晶引晶生长得到直径进一步变细的料棒，将生长出的直径进一步变细的料棒往上提拉并进入相邻的再上一级加热系统；通过加热系统和籽晶逐级引晶提拉生长，使料棒逐级变细，直至生长到需要的尺寸；上一级加热系统加热生长时，下一级加热系统停止加热；生长时，通过馈送装置将每级生长的料棒往上馈送，以维持生长所需的料源；每级料棒生长的长度根据最终需要得到的单晶光纤长度逐级反推得到。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种单晶光纤生长方法和系统
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