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申请/专利权人：龙腾半导体股份有限公司
摘要：本发明提供了一种评估线性MOSFET应用能力的测试系统和方法，包括基于线性MOSFET的待测回路、信号发生装置、探测装置和显示装置；基于线性MOSFET的待测回路包括待测线性MOSFET、直流电压源和阻性负载；待测线性MOSFET的漏极经阻性负载后与直流电压源的正极连接，待测线性MOSFET的源极与直流电压源的负极连接并接地；探测装置的探测端连接基于线性MOSFET的待测回路中的相应待测点，输出端连接显示装置。基于该测试系统能够实现对线性MOSFET应用场景的模拟以及应用能力评估，系统架构可行性高、测试条件易于改变、器件易于更换，测试效率高；评估使用的数据获取方便，测试系统应用价值高。
主权项：1.一种评估线性MOSFET应用能力的测试系统，其特征在于，包括：基于线性MOSFET的待测回路、信号发生装置、探测装置和显示装置；所述基于线性MOSFET的待测回路包括待测线性MOSFET、直流电压源和阻性负载；所述待测线性MOSFET的漏极经所述阻性负载后与所述直流电压源的正极连接，所述待测线性MOSFET的源极与所述直流电压源的负极连接并接地；所述探测装置的探测端连接所述基于线性MOSFET的待测回路中的相应待测点，输出端连接所述显示装置；所述直流电压源，用于在开启时使所述基于线性MOSFET的待测回路内形成电流回路；所述信号发生装置，用于根据生成的状态控制信号控制所述待测线性MOSFET工作在饱和区，并进一步生成不同峰值的目标脉冲信号，将所述目标脉冲信号传输至所述待测线性MOSFET的栅源之间，以控制所述待测线性MOSFET的开关状态，并调节所述待测线性MOSFET的栅极电压；所述探测装置，用于探测所述基于线性MOSFET的待测回路的回路电流，以及所述待测线性MOSFET的栅极电压和漏极电压，并将探测结果传输至所述显示装置，以供所述显示装置根据所述探测结果生成并显示相应波形，所述波形用于评估线性MOSFET的应用能力。
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