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申请/专利权人：株式会社国际电气
摘要：本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质、及衬底处理装置，课题在于提供能够提高衬底上形成的膜的阶梯覆盖性的技术。解决手段在于将包括下述a、b、c和d的循环执行规定次数：a向在表面形成有凹部的衬底供给含有第1卤素的第1改性剂的工序；b向前述衬底供给分子结构与前述第1改性剂不同的含有第2卤素的第2改性剂的工序；c在开始a及b之后，向前述衬底供给分子结构与前述第1改性剂及前述第2改性剂不同的含有规定元素的原料，由此在前述凹部的内面上形成含有前述规定元素的沉积层的工序；和d在c之后，向前述衬底供给与前述沉积层反应的反应体的工序。
主权项：1.衬底处理方法，其中，通过将包括下述a、b、c和d的循环执行规定次数，从而在衬底的凹部的内面上形成含有规定元素的膜：a向在表面形成有所述凹部的衬底供给含有第1卤素的第1改性剂的工序；b向所述衬底供给分子结构与所述第1改性剂不同的含有第2卤素的第2改性剂的工序；c在开始a及b之后，向所述衬底供给分子结构与所述第1改性剂及所述第2改性剂不同的含有所述规定元素的原料，由此在所述凹部的内面上形成含有所述规定元素的沉积层的工序；和d在c之后，向所述衬底供给与所述沉积层反应的反应体的工序。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社国际电气 衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质、及衬底处理装置
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