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申请/专利权人：英属开曼群岛商海珀电子股份有限公司
摘要：一种高电子迁移率晶体管及其制造方法，该方法包括：在基板上形成通道层；在通道层上形成阻障层；在阻障层上定义栅极结构；定义源极欧姆接触凹陷与漏极欧姆接触凹陷，其中每个源极欧姆接触凹陷与漏极欧姆接触凹陷具有底部与侧壁部；沉积无掺杂层覆盖通道层、阻障层、栅极结构、源极欧姆接触凹陷与漏极欧姆接触凹陷，以在源极欧姆接触凹陷和漏极欧姆接触凹陷的底部和侧壁部周围的界面处重建二维电子气2DEG，以增强电子传输能力降低欧姆接触电阻。
主权项：1.一种高电子迁移率晶体管的制造方法，包括：在一基板上形成一通道层；在该通道层上形成一阻障层；在阻障层上定义一栅极结构，借此在该阻障层与该通道层的一界面形成一电子传输区域，但该栅极结构下方的该阻障层与该通道层两者间的该界面除外；蚀刻该阻障层以定义一源极欧姆接触凹陷与一漏极欧姆接触凹陷，其中该源极欧姆接触凹陷与该漏极欧姆接触凹陷具有一底部及一侧壁部；沉积一无掺杂层覆盖该阻障层、该栅极结构、该源极欧姆接触凹陷及该漏极欧姆接触凹陷，借此增强该底部下方二维电子气体的极化；以及沉积一源极欧姆接触及一漏极欧姆接触覆盖该源极欧姆接触凹陷及该漏极欧姆接触凹陷。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英属开曼群岛商海珀电子股份有限公司 高电子迁移率晶体管及其制造方法
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