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申请/专利权人:光科芯图(北京)科技有限公司
摘要:本发明涉及光刻技术领域,特别涉及一种全息掩模生成方法、装置及存储介质,一种全息掩模生成方法包括:提供一预设样品,基于预设样品的振幅信息得到第一相位信息;基于第一相位信息生成初始全息掩模,对初始全息掩模进行优化得到优化后的光场信息;提供一目标参数,基于优化后的光场信息获取第二相位信息,得出第二相位信息与目标参数的误差系数,并将误差系数与预设值进行比较;若误差系数小于预设值,则基于第二相位信息输出目标全息掩模;否之则将第二相位信息替换为第一相位信息,迭代至生成初始全息掩模位置。解决了现有技术中相位掩模重建质量低的技术问题。
主权项:1.一种全息掩模生成方法,其特征在于,包括:提供一预设样品,基于预设样品的振幅信息得到第一相位信息;基于第一相位信息作为初始值生成初始全息掩模,对初始全息掩模进行优化得到优化后的光场信息;提供一目标参数,基于优化后的光场信息获取第二相位信息,获取第二相位信息与目标参数的误差系数,并将误差系数与预设值进行比较;若误差系数小于预设值,则基于第二相位信息输出目标全息掩模;否之则将第二相位信息作为迭代过程中新的初始值,迭代至生成初始全息掩模位置。
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百度查询: 光科芯图(北京)科技有限公司 一种全息掩模生成方法、装置及存储介质
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