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申请/专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种碳化硅外延片的前处理方法，其特征在于，包括：形成第一薄膜层，所述第一薄膜层位于衬底层的第一表面；形成外延层，所述外延层位于所述衬底层的第二表面；形成第二薄膜层，所述第二薄膜层位于所述外延层远离所述衬底层的一侧。本发明的碳化硅外延片的前处理方法，通过设置薄膜层，阻止反应气体钻入碳化硅衬底的背部，避免在外延的过程中在碳化硅衬底背面同步生长残留物，可以降低生产成本，且对外延片正面造成的损伤更小。
主权项：1.碳化硅外延片的前处理方法，其特征在于，包括：形成第一薄膜层，所述第一薄膜层位于衬底层的第一表面；形成外延层，所述外延层位于所述衬底层的第二表面；形成第二薄膜层，所述第二薄膜层位于所述外延层远离所述衬底层的一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽长飞先进半导体有限公司 碳化硅外延片的前处理方法
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