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申请/专利权人：芯联集成电路制造股份有限公司
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法、应力梯度测试方法，该半导体器件包括：衬底，衬底上形成有空腔；悬臂梁，至少部分地悬空设置于空腔的上方，包括固定端和自由端；应力梯度测试结构，设置于悬臂梁外侧，用于监测悬臂梁的弯曲程度，应力梯度测试结构包括多个沟槽，多个沟槽具有不同的深度，当自由端在光学显微镜中的成像与一个沟槽的成像相匹配时，相匹配的沟槽对应的深度表征悬臂梁的弯曲程度，弯曲程度反映悬臂梁的应力梯度。本发明的方案通过光学显微镜的成像的匹配，确定与悬臂梁的弯曲程度相匹配的沟槽的深度，从而得到悬臂梁的弯曲程度，并最终得到悬臂梁的应力梯度，准确性高，不需要增加额外的成本，且能够在线监控。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上形成有空腔；悬臂梁，至少部分地悬空设置于所述空腔的上方，并且所述悬臂梁包括固定端和与所述固定端相对的自由端，其中所述固定端连接所述衬底；应力梯度测试结构，设置于所述悬臂梁外侧且位于同一层的外围材料层中，所述应力梯度测试结构用于监测所述悬臂梁的弯曲程度，所述应力梯度测试结构包括形成于所述外围材料层内的多个沟槽，多个所述沟槽具有不同的深度，当所述自由端在光学显微镜中的成像与多个所述沟槽中的一个所述沟槽在所述光学显微镜中的成像相匹配时，相匹配的沟槽对应的深度表征所述悬臂梁的弯曲程度，所述弯曲程度反映所述悬臂梁的应力梯度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯联集成电路制造股份有限公司 一种半导体器件及其制造方法、应力梯度测试方法
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