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申请/专利权人：西安微电子技术研究所
摘要：本发明还公开了一种SiCMESFET元胞结构及制作方法，包括由下至上依次堆叠的半绝缘的衬底、P型的缓冲层和N型沟道层，底部采用半绝缘的衬底和P型的缓冲层来抑制衬底中陷阱对电子的俘获效应，P型缓冲展的引入能够把衬底和沟道层分离开来从而减小反向控制效应，半绝缘衬底能够有效减小反向控制效应引起的电流不稳定性，在N型沟道层上端开设沟道，沟道的底部端面呈倾斜状，形成坡形沟道，在坡形沟道设置栅极，形成坡形栅极，使器件的饱和电流密度得到大幅提升，提高了器件的击穿电压，从而使得器件具有良好的功率输出密度。
主权项：1.一种SiCMESFET元胞结构，其特征在于，包括由下至上依次堆叠的半绝缘衬底1、P型的缓冲层2和N型沟道层3；所述N型沟道层3上端开设沟道，所述沟道的底部端面呈倾斜状，所述沟道内设置栅极6；所述沟道一侧间隔注入第一N+区4，另一侧间隔注入第二N+区5，所述第一N+区4上设置源极7，第二N+区5上设置漏极8。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安微电子技术研究所 一种SiC MESFET元胞结构及制作方法
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