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申请/专利权人：湖南大学
摘要：本申请涉及一种离子注入碳化硅半导体掺杂过程的模拟仿真方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品，其中，方法包括：建立SiC模拟区域，对入射离子模拟环境进行初始化，得到离子注入SiC晶体的初始结构，并基于初始结构创建基于DFT的AIMD模拟的初始输入文件；根据初始输入文件进行模拟，得到离子注入过程的模拟数据集；建立神经网络对模拟数据集进行拟合训练，得到神经网络势模型；获取不同离子注入SiC晶体的神经网络势模型，得到多种神经网络势模型；获取模拟系统的几何体参数，通过几何参数对模拟系统进行初始化，建立SiC靶层模拟区域，对入射离子状态进行初始化；根据多种神经网络势模型重复进行模拟，得出离子注入模拟仿真结果并进行分析。
主权项：1.一种离子注入碳化硅半导体掺杂过程的模拟仿真方法，其特征在于，所述方法包括：建立SiC模拟区域，对入射离子模拟环境进行初始化，得到离子注入SiC晶体的初始结构，并基于所述初始结构创建基于DFT的AIMD模拟的初始输入文件；根据所述初始输入文件进行模拟，得到离子注入过程的模拟数据集；建立神经网络对模拟数据集进行拟合训练，得到神经网络势模型；获取不同离子注入SiC晶体的神经网络势模型，得到多种神经网络势模型；获取模拟系统的几何体参数，通过所述几何参数对模拟系统进行初始化，建立SiC靶层模拟区域，对入射离子状态进行初始化；根据所述多种神经网络势模型重复进行模拟，得出离子注入模拟仿真结果并进行分析。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南大学 离子注入碳化硅半导体掺杂过程的模拟仿真方法与装置
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