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申请/专利权人：陕西华茂半导体科技有限公司
摘要：本发明提供一种具有高浪涌能力RC‑IGBT的制造方法及器件，涉及半导体技术领域。其中，该方法包括：通过在具有栅极多晶硅的衬底的上表面进行P阱离子注入，并对注入完成后的P阱离子进行激活，形成轻掺杂P区，以及在轻掺杂P区上表面，通过光刻定义FRD区域的P型浓掺杂区域，并在P型浓掺杂区域注入离子，形成浓掺杂P区，对FRD阳极区的注入效率进行调整，在形成轻掺杂P区时，不需使用额外的光罩板，减少了RC‑IGBT器件的制造成本，使RC‑IGBT器件的制造成本较低；形成的浓掺杂P区在形成的轻掺杂P区内，且形成的轻掺杂P区分布平缓，在轻掺杂P区不会存在明显的电场剧变，使得RC‑IGBT器件的击穿电压较易保证。
主权项：1.一种具有高浪涌能力RC-IGBT的制造方法，其特征在于，所述方法包括：选用N类型硅材料作为器件的衬底，并在所述衬底的上表面自上而下刻蚀，刻蚀至所述衬底内，形成多个沟槽；在所述多个沟槽内依次进行栅极氧化层生长和多晶硅填充且对所述多晶硅进行N型掺杂，并将指定区域的多晶硅和栅极氧化层刻蚀掉；在所述衬底的上表面进行P阱离子注入，并对注入完成后的P阱离子进行激活，形成轻掺杂P区；在所述轻掺杂P区上表面，通过光刻定义FRD区域的P型浓掺杂区域，并在所述P型浓掺杂区域注入离子，形成浓掺杂P区；在所述轻掺杂P区上表面，通过光刻定义N阱注入区域，并在所述N阱注入区域注入N阱离子，形成RC-IGBT的发射极；在所述轻掺杂P区上表面沉积层间介质，所述层间介质的材料为掺杂有棚或磷的氧化硅；在所述层间介质的上表面自上而下进行刻蚀，刻蚀至所述层间介质内，形成接触孔，并在所述接触孔和刻蚀后的层间介质的上表面沉积正面金属层，得到所述器件的正面结构。
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权利要求：
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